События компании
Новинки в мире

События компании

Разработана альтернатива флэш-памяти


Традиционная флэш-память подходит к пределу своих физических и функциональных возможностей. Между тем, потребность в памяти остается. Все больше и больше памяти необходимо для самых различных продуктов – от мобильных устройств до центров обработки данных.

 

Корпорация Intel и компания Numonyx объявили о значительном прорыве в создании Phase Change Memory (PCM) – нового типа энергонезависимой памяти, основанной на фазовых переходах.

 

В рамках совместного исследовательского проекта компании разработали метод производства вертикально интегрированных ячеек PCM(S). Каждая такая ячейка включает два элемента, находящиеся в параллельных слоях: PCM и переключающий модуль Ovonic Threshold Switch (OTS). В совокупности PCM(S) формируют узловой массив. Возможность накладывать слои PCM(S)-ячеек друг на друга позволяет увеличивать плотность хранения информации, сохраняя характеристики однослойной фазовой памяти.

 

По материалам cnews .ru



25 Ноября 2009

Версия для печати

Вернуться к полному списку новостей